SISS60DN-T1-GE3
참조 용
| 부품 번호 | SISS60DN-T1-GE3 |
| PNEDA 부품 번호 | SISS60DN-T1-GE3 |
| 설명 | MOSFET N-CH 30V W/SCHOTTKY PP 12 |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,016 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SISS60DN-T1-GE3 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SISS60DN-T1-GE3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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SISS60DN-T1-GE3 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | TrenchFET® Gen IV |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 50.1A (Ta), 181.8A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.31mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 85.5nC @ 10V |
| Vgs (최대) | +16V, -12V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3960pF @ 15V |
| FET 기능 | Schottky Diode (Body) |
| 전력 손실 (최대) | 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8S |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® 1212-8S |
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