SIZ342DT-T1-GE3
참조 용
| 부품 번호 | SIZ342DT-T1-GE3 |
| PNEDA 부품 번호 | SIZ342DT-T1-GE3 |
| 설명 | MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3 |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,650 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 20 - 1월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SIZ342DT-T1-GE3 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SIZ342DT-T1-GE3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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- SIZ342DT-T1-GE3 Distributor
SIZ342DT-T1-GE3 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | TrenchFET® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 15.7A (Ta), 100A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 650pF @ 15V |
| 전력-최대 | 3.6W, 4.3W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerWDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-Power33 (3x3) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 48mOhm @ 6.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 800µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 18nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8 Dual |
제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate, 1.8V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 135mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.3nC @ 4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 272pF @ 10V 전력-최대 1.15W (Ta) 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-95 공급자 장치 패키지 SC-95 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual), Schottky FET 기능 Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 148A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 80A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 544nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 10200pF @ 1000V 전력-최대 937W 작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP3 공급자 장치 패키지 SP3 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 CoolMOS™ FET 유형 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능 Super Junction 드레인-소스 전압 (Vdss) 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 59A Rds On (최대) @ Id, Vgs 60mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 540nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 13600pF @ 100V 전력-최대 462W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP3 공급자 장치 패키지 SP3 |
