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SK12BHM4G

SK12BHM4G

참조 용

부품 번호 SK12BHM4G
PNEDA 부품 번호 SK12BHM4G
설명 DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO214AA
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 8,712
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SK12BHM4G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SK12BHM4G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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SK12BHM4G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)20V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If500mV @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr500µA @ 20V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AA, SMB
공급자 장치 패키지DO-214AA (SMB)
작동 온도-접합-55°C ~ 125°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

40A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 125A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

9mA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-203AB

작동 온도-접합

-65°C ~ 190°C

S1DB R5G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

12pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

BAT754,215

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

200mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 25V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB

작동 온도-접합

125°C (Max)

DSE010-TR-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io)

100mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

4ns

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 80V

커패시턴스 @ Vr, F

3pF @ 0.5V, 1MHz

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

FESE16AT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

16A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

975mV @ 16A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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