SK35BHM4G
참조 용
| 부품 번호 | SK35BHM4G |
| PNEDA 부품 번호 | SK35BHM4G |
| 설명 | DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO214AA |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,580 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 20 - 6월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SK35BHM4G 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SK35BHM4G |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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SK35BHM4G 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 다이오드 유형 | Schottky |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 50V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 3A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 750mV @ 3A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 500µA @ 50V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-214AA, SMB |
| 공급자 장치 패키지 | DO-214AA (SMB) |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 eSMP® 다이오드 유형 Avalanche 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 400V 전류-평균 정류 (Io) 2A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.6V @ 4A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 140ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F 77pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-277, 3-PowerDFN 공급자 장치 패키지 TO-277A (SMPC) 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 다이오드 유형 FERD (Field Effect Rectifier Diode) 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 60V 전류-평균 정류 (Io) 20A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 510mV @ 20A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 800µA @ 60V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 PowerFlat™ (5x6) 작동 온도-접합 150°C (Max) |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 90V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 800mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 50µA @ 90V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 Sub SMA 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 950mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F 20pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 T-18, Axial 공급자 장치 패키지 TS-1 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/585 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 220V 전류-평균 정류 (Io) 1.2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.4V @ 1.2A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 30ns 전류-역방향 누설 @ Vr 500nA @ 220V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 A, Axial 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
