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SKB02N60E3266ATMA1

SKB02N60E3266ATMA1

참조 용

부품 번호 SKB02N60E3266ATMA1
PNEDA 부품 번호 SKB02N60E3266ATMA1
설명 IGBT 600V 6A 30W TO263-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,136
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 16 - 6월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SKB02N60E3266ATMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SKB02N60E3266ATMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
SKB02N60E3266ATMA1, SKB02N60E3266ATMA1 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 598.85 KB)
PDFSKB02N60E3266ATMA1 데이터 시트 표지
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SKB02N60E3266ATMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)6A
전류-수집기 펄스 (Icm)12A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 2A
전력-최대30W
에너지 전환64µJ
입력 유형Standard
게이트 차지14nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C20ns/259ns
테스트 조건400V, 2A, 118Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)130ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지PG-TO263-3

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 30A

전력-최대

300W

에너지 전환

400µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/130ns

테스트 조건

400V, 30A, 3.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

IRGS4065PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 70A

전력-최대

178W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

62nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/170ns

테스트 조건

180V, 25A, 10Ohm

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 35A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

HB

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

전력-최대

283W

에너지 전환

498µJ (on), 363µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

210nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/142ns

테스트 조건

400V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

62ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 Long Leads

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 40A

전력-최대

300W

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860µJ (on), 400µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

70nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/106ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

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