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SKI07074

SKI07074

참조 용

부품 번호 SKI07074
PNEDA 부품 번호 SKI07074
설명 MOSFET N-CH 75V 85A TO-263
제조업체 Sanken
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SKI07074 리소스

브랜드 Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SKI07074
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SKI07074, SKI07074 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 593.03 KB)
PDFSKI07074 데이터 시트 표지
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SKI07074 사양

제조업체Sanken
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)85A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs6.6mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs91nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds6340pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)135W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-263
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

235mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

475pF @ 80V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

800mW (Ta), 8.3W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-223

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

IPB110N06L G

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

78A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11mOhm @ 78A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 94µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

79nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2700pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

158W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO263-3-2

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRL3502L

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

110A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 7V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7mOhm @ 64A, 7V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4700pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

140W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-262-3

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

DMN6069SFG-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.6A (Ta), 18A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1480pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

930mW (Ta)

작동 온도

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Surface Mount

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

385mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.69nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

830mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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TO-236AB

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