SLA5073
참조 용
| 부품 번호 | SLA5073 |
| PNEDA 부품 번호 | SLA5073 |
| 설명 | MOSFET 6N-CH 60V 5A 15-SIP |
| 제조업체 | Sanken |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,148 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 5월 2 - 5월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SLA5073 리소스
| 브랜드 | Sanken |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SLA5073 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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SLA5073 사양
| 제조업체 | Sanken |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 3A, 4V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 320pF @ 10V |
| 전력-최대 | 5W |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads |
| 공급자 장치 패키지 | 15-ZIP |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 250mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.23nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 48pF @ 5V 전력-최대 350mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 18nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1400pF @ 10V 전력-최대 1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5A, 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 51mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.9nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 230pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능 Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 55nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 2W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-XFBGA, FCBGA 공급자 장치 패키지 EFCP2718-6CE-020 |
제조업체 Advanced Linear Devices Inc. 시리즈 EPAD® FET 유형 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 10V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 500Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.01V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2.5pF @ 5V 전력-최대 600mW 작동 온도 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-PDIP |
