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SLA5085

SLA5085

참조 용

부품 번호 SLA5085
PNEDA 부품 번호 SLA5085
설명 MOSFET 5N-CH 60V 10A 12-SIP
제조업체 Sanken
단가 견적 요청
재고 있음 17,952
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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SLA5085 리소스

브랜드 Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SLA5085
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SLA5085, SLA5085 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 856.74 KB)
PDFSLA5085 데이터 시트 표지
SLA5085 데이터 시트 페이지 2

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SLA5085 사양

제조업체Sanken
시리즈-
FET 유형5 N-Channel, Common Source
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs220mOhm @ 3A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds320pF @ 10V
전력-최대5W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스12-SIP
공급자 장치 패키지12-SIP w/fin

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

250mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

190pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

FDG6301N-F085P

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

220mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4Ohm @ 220mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9.5pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-70-6

IRF9389TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.8A, 4.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

398pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

APTM50AM24SG

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

150A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 6mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

434nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

19600pF @ 25V

전력-최대

1250W

작동 온도

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Chassis Mount

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

160A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

90nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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