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SLA5086

SLA5086

참조 용

부품 번호 SLA5086
PNEDA 부품 번호 SLA5086
설명 MOSFET 5P-CH 60V 5A 12-SIP
제조업체 Sanken
단가 견적 요청
재고 있음 20,232
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SLA5086 리소스

브랜드 Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SLA5086
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SLA5086, SLA5086 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 381.28 KB)
PDFSLA5086 데이터 시트 표지
SLA5086 데이터 시트 페이지 2

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SLA5086 사양

제조업체Sanken
시리즈-
FET 유형5 P-Channel, Common Source
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs220mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds790pF @ 10V
전력-최대5W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스12-SIP
공급자 장치 패키지12-SIP w/fin

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

139A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

350nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9875pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

APTM100A23STG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V (1kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

308nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8700pF @ 25V

전력-최대

694W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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STMicroelectronics

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

670pF @ 25V

전력-최대

75W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

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Vishay Siliconix

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

53mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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8-SO

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

295A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 200A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 40mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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