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SMMB911DK-T1-GE3

SMMB911DK-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SMMB911DK-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SMMB911DK-T1-GE3
설명 MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6L
제조업체 Vishay Siliconix
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SMMB911DK-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SMMB911DK-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SMMB911DK-T1-GE3, SMMB911DK-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 106.51 KB)
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  • SMMB911DK-T1-GE3 Distributor

SMMB911DK-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs295mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs4nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds115pF @ 10V
전력-최대3.1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스PowerPAK® SC-75-6L Dual
공급자 장치 패키지PowerPAK® SC-75-6L Dual

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20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

525pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

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Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

64mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

460pF @ 6V

전력-최대

8.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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PowerPAK® ChipFet Dual

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2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

63mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

270pF @ 25V

전력-최대

1.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-PQFN (2x2)

QS8J5TR

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

39mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 10V

전력-최대

600mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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150A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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