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SMMBFJ309LT1G

SMMBFJ309LT1G

참조 용

부품 번호 SMMBFJ309LT1G
PNEDA 부품 번호 SMMBFJ309LT1G
설명 JFET N-CH 25V 30MA SOT23
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 29,238
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 4 - 2월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SMMBFJ309LT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SMMBFJ309LT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
SMMBFJ309LT1G, SMMBFJ309LT1G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 179.84 KB)
PDFMMBFJ310LT1 데이터 시트 표지
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  • SMMBFJ309LT1G Distributor

SMMBFJ309LT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형N-Channel JFET
주파수-
이득-
전압-테스트-
전류 정격 (Amps)30mA
소음 수치-
현재-테스트-
전원-출력-
전압-정격25V
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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이득

17dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

250W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

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이득

-

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

40mA

소음 수치

2dB

현재-테스트

15mA

전원-출력

-

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

SOT-143R

공급자 장치 패키지

SOT-143R

PD57018

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

2.5A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

18W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

10-PowerSO

PD55008S-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz

이득

17dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

4A

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

8W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.93GHz ~ 1.99GHz

이득

17dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

650mA

전원-출력

56W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1258-3

공급자 장치 패키지

SOT-1258-3

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