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SMP3003-TL-1E

SMP3003-TL-1E

참조 용

부품 번호 SMP3003-TL-1E
PNEDA 부품 번호 SMP3003-TL-1E
설명 MOSFET P-CH 75V 100A SMP-FD
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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SMP3003-TL-1E 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SMP3003-TL-1E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SMP3003-TL-1E, SMP3003-TL-1E 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 322.39 KB)
PDFSMP3003-DL-1E 데이터 시트 표지
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  • SMP3003-TL-1E Distributor

SMP3003-TL-1E 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs8mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs280nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds13400pF @ 20V
FET 기능-
전력 손실 (최대)90W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D²PAK (TO-263)
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 8V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

830pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta), 4.6W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Ta), 25.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

550pF @ 75V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

5.1W (Ta), 65.8W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8S

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

300V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

53A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 26.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

95nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4240pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

250W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

20V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 2A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.1V @ 500µA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 20V

Vgs (최대)

+25V, -10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

200pF @ 1000V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

78W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 200µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1300pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.6W (Ta), 32W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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