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SP8M10TB

SP8M10TB

참조 용

부품 번호 SP8M10TB
PNEDA 부품 번호 SP8M10TB
설명 MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,508
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 3 - 3월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SP8M10TB 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SP8M10TB
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SP8M10TB, SP8M10TB 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 77.55 KB)
PDFSP8M10FU6TB 데이터 시트 표지
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  • SP8M10TB Distributor

SP8M10TB 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7A, 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs25mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8.4nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds600pF @ 10V
전력-최대2W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

540mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.95nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 16V

전력-최대

200mW

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6mOhm @ 20A, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1870pF @ 12.5V

전력-최대

13W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerLDFN

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

240pF @ 15V

전력-최대

1.25W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

195mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1455pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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