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SPD50N03S2L-06

SPD50N03S2L-06

참조 용

부품 번호 SPD50N03S2L-06
PNEDA 부품 번호 SPD50N03S2L-06
설명 MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
제조업체 Infineon Technologies
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SPD50N03S2L-06 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SPD50N03S2L-06
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SPD50N03S2L-06, SPD50N03S2L-06 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 298.42 KB)
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SPD50N03S2L-06 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs6.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 85µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs68nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2530pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)136W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PG-TO252-3
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

900mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

6.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

56nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3080pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

380W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PLUS-220SMD

패키지 / 케이스

PLUS-220SMD

FDD6782A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 14.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1065pF @ 13V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.7W (Ta), 31W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-PAK (TO-252)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RCD050N20TL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

618mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.25V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

380pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

20W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

CPT3

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FQP50N06L

ON Semiconductor

제조업체

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시리즈

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

52.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 26.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1630pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

121W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

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-

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100mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

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