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SPP03N60S5HKSA1

SPP03N60S5HKSA1

참조 용

부품 번호 SPP03N60S5HKSA1
PNEDA 부품 번호 SPP03N60S5HKSA1
설명 MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,222
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 27 - 5월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SPP03N60S5HKSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SPP03N60S5HKSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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  • SPP03N60S5HKSA1 Distributor

SPP03N60S5HKSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈CoolMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5.5V @ 135µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs16nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds420pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)38W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스TO-220-3

관심을 가질만한 제품

제조업체

IXYS

시리즈

HiperFET™, TrenchT3™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

220A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

136nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

440W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

MCH3383-TL-W

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

0.9V, 2.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

69mOhm @ 1.5A, 2.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

800mV @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.2nC @ 2.5V

Vgs (최대)

±5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1010pF @ 6V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SC-70FL/MCPH3

패키지 / 케이스

3-SMD, Flat Leads

2N7000-G

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA (Tj)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

60pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-92-3

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

DMP2541UCB9-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.9A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 4.5V

Vgs (최대)

-6V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

850pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

940mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 155°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

U-WLB1515-9

패키지 / 케이스

9-UFBGA, WLBGA

DMP3120L-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.7nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

285pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.4W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23

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MT25QL128ABA1EW9-0SIT

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IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN

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HDSP-0770

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DISPLAY 4X7 NUM RDP BCD HER

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PC28F00BM29EWHA

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IC FLASH 2G PARALLEL 64FBGA

HDLO-3416

HDLO-3416

Broadcom

DISPLAY 5X7 0.27"" 4CHAR RED

A5984GLPTR-T

A5984GLPTR-T

Allegro MicroSystems, LLC

IC MTR DRV BIPOLAR 8-40V 24TSSOP

MT25QL01GBBB8E12-0SIT

MT25QL01GBBB8E12-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA

SCMT22F505PRBA0

SCMT22F505PRBA0

CAPACITOR 5F 20% 5.5V THRU HOLE

LPS0800H1000JB

LPS0800H1000JB

Vishay Sfernice

RES CHAS MNT 100 OHM 5% 800W