SPP06N60C3HKSA1
참조 용
| 부품 번호 | SPP06N60C3HKSA1 |
| PNEDA 부품 번호 | SPP06N60C3HKSA1 |
| 설명 | MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,526 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 5 - 2월 10 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SPP06N60C3HKSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SPP06N60C3HKSA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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- SPP06N60C3HKSA1 Distributor
SPP06N60C3HKSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | CoolMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 650V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6.2A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 3.9A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.9V @ 260µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 620pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 74W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 18nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 311pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 104W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 13A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 750pF @ 12V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.1W (Ta), 21W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN |
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제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 23mOhm @ 9.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 820pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.1W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SOIC 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
