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SPP24N60C3HKSA1

SPP24N60C3HKSA1

참조 용

부품 번호 SPP24N60C3HKSA1
PNEDA 부품 번호 SPP24N60C3HKSA1
설명 MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-220
제조업체 Infineon Technologies
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SPP24N60C3HKSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SPP24N60C3HKSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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  • SPP24N60C3HKSA1 Distributor

SPP24N60C3HKSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈CoolMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)24.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs160mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.9V @ 1.2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs135nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3000pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)240W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스TO-220-3

관심을 가질만한 제품

IRL3715ZPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.55V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

870pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

45W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

TSM4NB65CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.37Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13.46nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

549pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

70W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FQPF12N60C

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

650mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2290pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

51W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220F

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

IRF7601PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

650pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.8W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

Micro8™

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

150A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.63mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

160nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9200pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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