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SPU30N03S2L-10

SPU30N03S2L-10

참조 용

부품 번호 SPU30N03S2L-10
PNEDA 부품 번호 SPU30N03S2L-10
설명 MOSFET N-CH 30V 30A TO-251
제조업체 Infineon Technologies
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SPU30N03S2L-10 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SPU30N03S2L-10
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
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  • SPU30N03S2L-10 Distributor

SPU30N03S2L-10 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs10mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs39.4nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1460pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)82W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지P-TO251-3-1
패키지 / 케이스TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

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600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

240mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

335nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10700pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

540W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3P

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

RJK6018DPK-00#T0

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

235mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

92nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4100pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

200W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3P

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

ZXMP6A17KTC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.7nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

637pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.11W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252-3

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTP75N06L

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11mOhm @ 37.5A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

92nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4370pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.4W (Ta), 214W (Tj)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 200µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

270nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

21900pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

250W (Tc)

작동 온도

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