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SQ2337ES-T1_GE3

SQ2337ES-T1_GE3

참조 용

부품 번호 SQ2337ES-T1_GE3
PNEDA 부품 번호 SQ2337ES-T1_GE3
설명 MOSFET P-CHAN 80V SOT23
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SQ2337ES-T1_GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SQ2337ES-T1_GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SQ2337ES-T1_GE3, SQ2337ES-T1_GE3 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 219.99 KB)
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  • SQ2337ES-T1_GE3 Distributor

SQ2337ES-T1_GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs290mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs18nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds620pF @ 30V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 11µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

500pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IPD65R380C6BTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

380mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 320µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

710pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRL1104STRLPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

104A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 62A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

68nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3445pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.4W (Ta), 167W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRL7486MTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

209A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.25mOhm @ 123A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

111nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6904pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

104W (Tc)

작동 온도

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Surface Mount

공급자 장치 패키지

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드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

860mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

280mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

290mW (Ta)

작동 온도

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