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SQ4284EY-T1_GE3

SQ4284EY-T1_GE3

참조 용

부품 번호 SQ4284EY-T1_GE3
PNEDA 부품 번호 SQ4284EY-T1_GE3
설명 MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
제조업체 Vishay Siliconix
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SQ4284EY-T1_GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SQ4284EY-T1_GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SQ4284EY-T1_GE3, SQ4284EY-T1_GE3 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 185.81 KB)
PDFSQ4284EY-T1_GE3 데이터 시트 표지
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  • SQ4284EY-T1_GE3 Distributor

SQ4284EY-T1_GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs13.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs45nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2200pF @ 25V
전력-최대3.9W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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2 N-Channel (Dual)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

450pF @ 30V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

24V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.9A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

950pF @ 10V

전력-최대

1.07W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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Rohm Semiconductor

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1190pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

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Advanced Linear Devices Inc.

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

780mV @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.5pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

700mOhm @ 600mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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전력-최대

1.4W

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