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SQ4937EY-T1_GE3

SQ4937EY-T1_GE3

참조 용

부품 번호 SQ4937EY-T1_GE3
PNEDA 부품 번호 SQ4937EY-T1_GE3
설명 MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SOIC
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SQ4937EY-T1_GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SQ4937EY-T1_GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SQ4937EY-T1_GE3, SQ4937EY-T1_GE3 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 181.81 KB)
PDFSQ4937EY-T1_GE3 데이터 시트 표지
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  • SQ4937EY-T1_GE3 Distributor

SQ4937EY-T1_GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs75mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs15nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds480pF @ 25V
전력-최대3.3W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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시리즈

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1Ohm @ 200mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

25pF @ 10V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

EMT6

SI6963BDQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

830mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

EMH2408-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

345pF @ 10V

전력-최대

1.2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-EMH

CSD75204W15

Texas Instruments

제조업체

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

410pF @ 10V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

9-UFBGA, DSBGA

공급자 장치 패키지

9-DSBGA

IRF7501TRPBF

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

135mOhm @ 1.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

260pF @ 15V

전력-최대

1.25W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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