SQJ500EPTR
참조 용
| 부품 번호 | SQJ500EPTR |
| PNEDA 부품 번호 | SQJ500EPTR |
| 설명 | MOSFET N/P-CH 40V DPAK |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,956 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 27 - 2월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SQJ500EPTR 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SQJ500EPTR |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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SQJ500EPTR 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | - |
| FET 기능 | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 610pF @ 15V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 43A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 10mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.9V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 33nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1060pF @ 25V 전력-최대 34W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 PQFN (5x6) |
제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 290A Rds On (최대) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 145A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 30mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1440nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 40000pF @ 25V 전력-최대 1500W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Y3-DCB 공급자 장치 패키지 Y3-DCB |
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