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SQJ570EP-T1_GE3

SQJ570EP-T1_GE3

참조 용

부품 번호 SQJ570EP-T1_GE3
PNEDA 부품 번호 SQJ570EP-T1_GE3
설명 MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 4,662
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SQJ570EP-T1_GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SQJ570EP-T1_GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SQJ570EP-T1_GE3, SQJ570EP-T1_GE3 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 293.8 KB)
PDFSQJ570EP-T1_GE3 데이터 시트 표지
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SQJ570EP-T1_GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)15A (Tc), 9.5A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs20nC @ 10V, 15nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds650pF @ 25V, 600pF @ 25V
전력-최대27W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지PowerPAK® SO-8 Dual

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드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

450pF @ 10V

전력-최대

4W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1066pF @ 10V

전력-최대

1.25W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

Micro8™

제조업체

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1478pF @ 10V

전력-최대

2.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

SSM6P47NU,LF

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

95mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

290pF @ 10V

전력-최대

1W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

56.2mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

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446pF @ 30V

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