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SQM40020E_GE3

SQM40020E_GE3

참조 용

부품 번호 SQM40020E_GE3
PNEDA 부품 번호 SQM40020E_GE3
설명 MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
제조업체 Vishay Siliconix
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SQM40020E_GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SQM40020E_GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SQM40020E_GE3, SQM40020E_GE3 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 314.72 KB)
PDFSQM40020E_GE3 데이터 시트 표지
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SQM40020E_GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈*
FET 유형-
기술-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
공급자 장치 패키지-
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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

260mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

83nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3710pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

417W (Tc)

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

430mOhm @ 6.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2300pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

190W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3P

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19.4A (Ta), 100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7600pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 104W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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Toshiba Semiconductor and Storage

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.1mOhm @ 4A, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

47nC @ 4.5V

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3350pF @ 6V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

170mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.7V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1680pF @ 300V

FET 기능

Super Junction

전력 손실 (최대)

156W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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