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SR303 A0G

SR303 A0G

참조 용

부품 번호 SR303 A0G
PNEDA 부품 번호 SR303-A0G
설명 DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 2,646
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SR303 A0G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SR303 A0G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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SR303 A0G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)30V
전류-평균 정류 (Io)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If550mV @ 3A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr500µA @ 30V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지DO-201AD
작동 온도-접합-55°C ~ 125°C

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85A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 267A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

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Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

360mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

60pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

480mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

150µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

130pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-220AA

공급자 장치 패키지

DO-220AA (SMP)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

1N5625-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 3A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

7.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOD-64

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전류-평균 정류 (Io)

1.3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.5V @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

29pF @ 4V, 1MHz

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