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SRAF530HC0G

SRAF530HC0G

참조 용

부품 번호 SRAF530HC0G
PNEDA 부품 번호 SRAF530HC0G
설명 DIODE SCHOTTKY 30V 5A ITO220AC
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 7,902
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 23 - 1월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SRAF530HC0G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SRAF530HC0G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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SRAF530HC0G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)30V
전류-평균 정류 (Io)5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If550mV @ 5A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr500µA @ 30V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2 Full Pack
공급자 장치 패키지ITO-220AC
작동 온도-접합-55°C ~ 125°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

16A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

3V @ 16A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

90ns

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-2

공급자 장치 패키지

TO-247AC Modified

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

VS-25ETS08S-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.14V @ 25A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263 (D2Pak)

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

JANTX1N6638

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/578

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

125V

전류-평균 정류 (Io)

300mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

20ns

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 125V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

D, Axial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

SJPB-H6V

Sanken

제조업체

Sanken

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

690mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, J-Lead

공급자 장치 패키지

SJP

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

1N914

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

75V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 50mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

20ns

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 75V

커패시턴스 @ Vr, F

4pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

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