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SS26LHR3G

SS26LHR3G

참조 용

부품 번호 SS26LHR3G
PNEDA 부품 번호 SS26LHR3G
설명 DIODE SCHOTTKY 60V 2A SUB SMA
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 5,328
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 6 - 4월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SS26LHR3G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SS26LHR3G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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SS26LHR3G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)60V
전류-평균 정류 (Io)2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If700mV @ 2A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr400µA @ 60V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-219AB
공급자 장치 패키지Sub SMA
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

730mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3.5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

작동 온도-접합

-40°C ~ 175°C

IRKE91/16A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1600V

전류-평균 정류 (Io)

100A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10mA @ 1600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

ADD-A-PAK (2)

공급자 장치 패키지

ADD-A-PAK®

작동 온도-접합

-

MBR0530L-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

430mV @ 500mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

130µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

170pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

작동 온도-접합

-65°C ~ 125°C

BYG21M R3G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.6V @ 1.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

120ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

13pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

V20150SG-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

TMBS®

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.6V @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

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-55°C ~ 150°C

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