SS29LHM2G
참조 용
| 부품 번호 | SS29LHM2G |
| PNEDA 부품 번호 | SS29LHM2G |
| 설명 | DIODE SCHOTTKY 90V 2A SUB SMA |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,042 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 8 - 11월 13 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SS29LHM2G 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SS29LHM2G |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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SS29LHM2G 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 다이오드 유형 | Schottky |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 90V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 2A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 850mV @ 2A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 100µA @ 90V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-219AB |
| 공급자 장치 패키지 | Sub SMA |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TMBS® 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 80V 전류-평균 정류 (Io) 30A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 950mV @ 30A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1mA @ 80V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220AB 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F 46pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AA, SMB 공급자 장치 패키지 DO-214AA (SMB) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AC, SMA 공급자 장치 패키지 DO-214AC (SMA) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Sanken 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 30V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 550mV @ 2A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 200µA @ 30V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 2-SMD, J-Lead 공급자 장치 패키지 SJP 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 16A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 16A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AA, DO-4, Stud 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
