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SS2FL4HM3/H

SS2FL4HM3/H

참조 용

부품 번호 SS2FL4HM3/H
PNEDA 부품 번호 SS2FL4HM3-H
설명 DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO-219AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 4,428
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SS2FL4HM3/H 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SS2FL4HM3/H
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
SS2FL4HM3/H, SS2FL4HM3/H 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 122.87 KB)
PDFSS2FL4HM3/H 데이터 시트 표지
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  • SS2FL4HM3/H Distributor

SS2FL4HM3/H 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101, eSMP®
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)40V
전류-평균 정류 (Io)2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If580mV @ 2A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr220µA @ 40V
커패시턴스 @ Vr, F125pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-219AB
공급자 장치 패키지DO-219AB (SMF)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Infineon Technologies

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

700A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.71V @ 1200A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50mA @ 3600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

2.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

975mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

VS-72HF140

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1400V

전류-평균 정류 (Io)

70A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.35V @ 220A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-203AB (DO-5)

작동 온도-접합

-65°C ~ 180°C

RA354-BP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

35A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 35A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

100pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

RA

공급자 장치 패키지

RA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

V10P45-M3/86A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

4.4A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

570mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

800µA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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