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SSM3J129TU(TE85L)

SSM3J129TU(TE85L)

참조 용

부품 번호 SSM3J129TU(TE85L)
PNEDA 부품 번호 SSM3J129TU-TE85L
설명 MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 5,382
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SSM3J129TU(TE85L) 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SSM3J129TU(TE85L)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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  • SSM3J129TU(TE85L) Distributor

SSM3J129TU(TE85L) 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈U-MOSV
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs46mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8.1nC @ 4.5V
Vgs (최대)±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds640pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)500mW (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지UFM
패키지 / 케이스3-SMD, Flat Leads

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Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12.6A (Ta), 20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

31nC @ 8V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1344pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

720mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3mOhm @ 25A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

400mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

75nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.6W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

BSO200P03SNTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 9.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

54nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2330pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.56W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-DSO-8

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

FDV303N_NB9U008

ON Semiconductor

제조업체

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

680mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Vgs (최대)

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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전력 손실 (최대)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

61A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11mOhm @ 37A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

64nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1720pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

91W (Tc)

작동 온도

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