SSM3K2615TU,LF
참조 용
| 부품 번호 | SSM3K2615TU,LF |
| PNEDA 부품 번호 | SSM3K2615TU-LF |
| 설명 | X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,042 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 21 - 1월 26 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SSM3K2615TU 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SSM3K2615TU,LF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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SSM3K2615TU 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | π-MOSV |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 3.3V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 6nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 150pF @ 10V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 800mW (Ta) |
| 작동 온도 | 150°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | UFM |
| 패키지 / 케이스 | 3-SMD, Flat Leads |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 25A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 41nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2600pF @ 15V FET 기능 Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대) 2.1W (Ta), 69W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-TSDSON-8-FL 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
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