SSM6J213FE(TE85L,F
참조 용
| 부품 번호 | SSM6J213FE(TE85L,F |
| PNEDA 부품 번호 | SSM6J213FE-TE85L-F |
| 설명 | MOSFET P CH 20V 2.6A ES6 |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,254 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 26 - 3월 31 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SSM6J213FE(TE85L 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SSM6J213FE(TE85L,F |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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SSM6J213FE(TE85L 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | U-MOSVI |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.6A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 103mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 4.7nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | ±8V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 290pF @ 10V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 500mW (Ta) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | ES6 |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 10.5Ohm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 34nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 650pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta), 140W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-3P(L) 패키지 / 케이스 TO-3PL |
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