SSM6J503NU,LF
참조 용
| 부품 번호 | SSM6J503NU,LF |
| PNEDA 부품 번호 | SSM6J503NU-LF |
| 설명 | MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,124 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
SSM6J503NU 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
|
| Mfr. 부품 번호 | SSM6J503NU,LF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.
우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.
신속한 대응
저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.
보장 된 품질
당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.
글로벌 액세스
전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.
Hot search vocabulary
- SSM6J503NU,LF Datasheet
- where to find SSM6J503NU,LF
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J503NU,LF
- SSM6J503NU,LF PDF Datasheet
- SSM6J503NU,LF Stock
- SSM6J503NU,LF Pinout
- Datasheet SSM6J503NU,LF
- SSM6J503NU,LF Supplier
- Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
- SSM6J503NU,LF Price
- SSM6J503NU,LF Distributor
SSM6J503NU 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | U-MOSVI |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 32.4mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 12.8nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±8V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 840pF @ 10V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 1W (Ta) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 6-UDFNB (2x2) |
| 패키지 / 케이스 | 6-WDFN Exposed Pad |
관심을 가질만한 제품
|
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 STripFET™ V FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 9.7mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12.9nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1570pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.9W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerFlat™ (3.3x3.3) 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 220mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 520pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 20W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 CPT3 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 180A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 110A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 260nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7580pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 300W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK (7-Lead) 패키지 / 케이스 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 185A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4mOhm @ 110A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 140nC @ 4.5V Vgs (최대) ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7660pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 300W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 SUPER-220™ (TO-273AA) 패키지 / 케이스 TO-273AA |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 66mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 8V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 470pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.4W (Ta), 13W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SC-75-6L Single 패키지 / 케이스 PowerPAK® SC-75-6L |
