SSM6J771G,LF
참조 용
| 부품 번호 | SSM6J771G,LF |
| PNEDA 부품 번호 | SSM6J771G-LF |
| 설명 | MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,636 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SSM6J771G 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SSM6J771G,LF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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SSM6J771G 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | U-MOSVI |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 8.5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 3A, 8.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.2V @ 1mA, 3V |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 9.8nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | ±12V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 870pF @ 10V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 1.2W (Ta) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | - |
| 패키지 / 케이스 | 6-UFBGA, WLCSP |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 EFCP1818-4CE-22 패키지 / 케이스 4-XFBGA |
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