SSM6L36FE,LM
참조 용
| 부품 번호 | SSM6L36FE,LM |
| PNEDA 부품 번호 | SSM6L36FE-LM |
| 설명 | MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6 |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 30,378 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 9 - 4월 14 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SSM6L36FE 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SSM6L36FE,LM |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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SSM6L36FE 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 500mA, 330mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 630mOhm @ 200mA, 5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.23nC @ 4V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 46pF @ 10V |
| 전력-최대 | 150mW |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 공급자 장치 패키지 | ES6 (1.6x1.6) |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 225mOhm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.8nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 75pF @ 15V 전력-최대 1.25W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SC-70-6 (SOT-363) |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 48mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 21nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.4W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/597 FET 유형 4 N-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1A Rds On (최대) @ Id, Vgs 700mOhm @ 600mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 60nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 MO-036AB |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11A Rds On (최대) @ Id, Vgs 14.9mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1165pF @ 10V 전력-최대 2.7W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 26A Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 13nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 480pF @ 15V 전력-최대 23W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8 Dual |
