SSM6L40TU,LF
참조 용
| 부품 번호 | SSM6L40TU,LF |
| PNEDA 부품 번호 | SSM6L40TU-LF |
| 설명 | X34 PB-F UF6 S-MOS (LF) TRANSIST |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,884 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 20 - 2월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SSM6L40TU 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SSM6L40TU,LF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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SSM6L40TU 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Logic Level Gate, 4V Drive |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.6A (Ta), 1.4A (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 122mOhm @ 1A, 10V, 226mOhm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.6V @ 1mA, 2V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 5.1nC, 2.9nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 180pF, 120pF @ 15V |
| 전력-최대 | 500mW (Ta) |
| 작동 온도 | 150°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-SMD, Flat Leads |
| 공급자 장치 패키지 | UF6 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel, Common Drain FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 37mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 640pF @ 20V 전력-최대 10.8W, 24W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD 공급자 장치 패키지 TO-252-4L |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 34A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 11.3mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 16nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1950pF @ 20V 전력-최대 21W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerSMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 485mA, 370mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 700mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 250mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 SC-89-6 |
제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능 Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.7A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 40mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.1nC @ 4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 523pF @ 10V 전력-최대 1.3W (Ta) 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 4-XFLGA 공급자 장치 패키지 4-EFLIP-LGA (1.62x1.62) |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 154A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 9875pF @ 25V 전력-최대 480W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP3 공급자 장치 패키지 SP3 |
