SSM6N35AFE,LF
참조 용
| 부품 번호 | SSM6N35AFE,LF |
| PNEDA 부품 번호 | SSM6N35AFE-LF |
| 설명 | MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA ES6 |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 30,672 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 17 - 3월 22 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SSM6N35AFE 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SSM6N35AFE,LF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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SSM6N35AFE 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 250mA (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 100µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.34nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 36pF @ 10V |
| 전력-최대 | 250mW |
| 작동 온도 | 150°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 공급자 장치 패키지 | ES6 |
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 95mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 290pF @ 10V 전력-최대 1W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-UDFN (2x2) |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A, 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 520pF @ 15V 전력-최대 1.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.6A (Ta), 15A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 481pF @ 15V, 996pF @ 15V 전력-최대 1.96W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지 PowerDI3333-8 (Type D) |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.1A, 2.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 85mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 731pF @ 20V 전력-최대 1.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 PowerDI3333-8 |
