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SSM6N43FU,LF

SSM6N43FU,LF

참조 용

부품 번호 SSM6N43FU,LF
PNEDA 부품 번호 SSM6N43FU-LF
설명 MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 22,488
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 11 - 2월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SSM6N43FU 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SSM6N43FU,LF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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SSM6N43FU 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate, 1.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)500mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs630mOhm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.23nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds46pF @ 10V
전력-최대200mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지US6

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1984pF @ 6V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

AO6602_DELTA

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A (Ta), 2.7A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V, 100mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 10V, 5.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

210pF @ 15V, 240pF @ 15V

전력-최대

1.15W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74, SOT-457

공급자 장치 패키지

6-TSOP

FDPC5018SG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A, 32A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1715pF @ 15V

전력-최대

1W, 1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

Power Clip 56

NSTJD1155LT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

DMNH6042SSDQ-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16.7A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

584pF @ 25V

전력-최대

2.1W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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