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SSM6N44FE,LM

SSM6N44FE,LM

참조 용

부품 번호 SSM6N44FE,LM
PNEDA 부품 번호 SSM6N44FE-LM
설명 MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 349,350
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 5 - 4월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SSM6N44FE 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SSM6N44FE,LM
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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SSM6N44FE 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)100mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds8.5pF @ 3V
전력-최대150mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지ES6 (1.6x1.6)

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Diodes Incorporated

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FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.1A (Ta), 3.9A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V

전력-최대

1.36W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

U-DFN2020-6 (Type B)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1478pF @ 10V

전력-최대

2.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

SH8M3TB1

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A, 4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.9nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

230pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

NX3008NBKSH

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제조업체

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시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

350mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.68nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 15V

전력-최대

445mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 74.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1200nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

29600pF @ 25V

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