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SSM6N7002BFU,LF

SSM6N7002BFU,LF

참조 용

부품 번호 SSM6N7002BFU,LF
PNEDA 부품 번호 SSM6N7002BFU-LF
설명 MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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SSM6N7002BFU 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SSM6N7002BFU,LF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SSM6N7002BFU, SSM6N7002BFU 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 201.83 KB)
PDFSSM6N7002BFU 데이터 시트 표지
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SSM6N7002BFU 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.1Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds17pF @ 25V
전력-최대300mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지US6

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

570mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

600mOhm @ 570mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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Infineon Technologies

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FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.1A, 3.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 110µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

419pF @ 10V

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

38A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

220nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

ECO-PAC2

공급자 장치 패키지

ECO-PAC2

DMC4029SK4-13

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19.1nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1060pF @ 20V

전력-최대

1.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A (Ta), 7A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 5V, 25nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V

전력-최대

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