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SSM6P35AFE,LF

SSM6P35AFE,LF

참조 용

부품 번호 SSM6P35AFE,LF
PNEDA 부품 번호 SSM6P35AFE-LF
설명 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 81,318
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 6 - 4월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SSM6P35AFE 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SSM6P35AFE,LF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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SSM6P35AFE 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈U-MOSVII
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate, 1.2V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)250mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds42pF @ 10V
전력-최대150mW (Ta)
작동 온도150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지ES6

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제조업체

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시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 5.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 400µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

830mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

65V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44.6nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3643pF @ 25V

전력-최대

5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

20-SO

APTM50DHM65TG

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

51A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

78mOhm @ 25.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

140nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7000pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

NVMFD5C650NLWFT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

21A (Ta), 111A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 98µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2546pF @ 25V

전력-최대

3.5W (Ta), 125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

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8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

ECH8601M-C-TL-H

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

24V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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