SSM6P35AFE,LF
참조 용
| 부품 번호 | SSM6P35AFE,LF |
| PNEDA 부품 번호 | SSM6P35AFE-LF |
| 설명 | SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 81,318 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 30 - 5월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SSM6P35AFE 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SSM6P35AFE,LF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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SSM6P35AFE 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | U-MOSVII |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 250mA (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 100µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 42pF @ 10V |
| 전력-최대 | 150mW (Ta) |
| 작동 온도 | 150°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 공급자 장치 패키지 | ES6 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs 46mOhm @ 4.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 985pF @ 10V 전력-최대 900mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
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