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SST175-T1-E3

SST175-T1-E3

참조 용

부품 번호 SST175-T1-E3
PNEDA 부품 번호 SST175-T1-E3
설명 MOSFET P-CH JFET 30V SOT23-3
제조업체 Vishay Dale
단가 견적 요청
재고 있음 2,682
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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SST175-T1-E3 리소스

브랜드 Vishay Dale
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SST175-T1-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET

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  • SST175-T1-E3 Distributor

SST175-T1-E3 사양

제조업체Vishay Dale
시리즈-
FET 유형-
전압-항복 (V (BR) GSS)-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)-
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지TO-236 (SOT-23)

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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

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전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

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작동 온도

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장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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ON Semiconductor

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

15V

드레인-소스 전압 (Vdss)

15V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

32mA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

50mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

700mV @ 100µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

200mW

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드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

80mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

30pF @ 10V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

12 Ohms

전력-최대

400mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

J111,126

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

10V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6pF @ 10V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

30 Ohms

전력-최대

400mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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