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SST25VF040B-80-4I-S2AE

SST25VF040B-80-4I-S2AE

참조 용

부품 번호 SST25VF040B-80-4I-S2AE
PNEDA 부품 번호 SST25VF040B-80-4I-S2AE
설명 IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8SOIC
제조업체 Microchip Technology
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재고 있음 1,132
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SST25VF040B-80-4I-S2AE 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SST25VF040B-80-4I-S2AE
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
SST25VF040B-80-4I-S2AE, SST25VF040B-80-4I-S2AE 데이터 시트 (총 페이지: 34, 크기: 327.24 KB)
PDFSST25VF040B-80-4I-S2AE-T 데이터 시트 표지
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SST25VF040B-80-4I-S2AE 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈SST25
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수80MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지10µs
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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메모리 유형

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메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

256Gb (32G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

267MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

132-VBGA

공급자 장치 패키지

132-VBGA (12x18)

93LC66AT/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

4Kb (512 x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

6ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IS25WP128-JBLE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

800µs

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IS46DR16320E-3DBLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

333MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

450ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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