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SST3906HZGT116

SST3906HZGT116

참조 용

부품 번호 SST3906HZGT116
PNEDA 부품 번호 SST3906HZGT116
설명 PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 28,542
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SST3906HZGT116 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SST3906HZGT116
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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  • SST3906HZGT116 Distributor

SST3906HZGT116 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대)50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 1V
전력-최대200mW
주파수-전환250MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SST3

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 30mA, 300mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 30mA, 400mV

전력-최대

200mW

주파수-전환

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

360mV @ 250mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 1A, 2V

전력-최대

950mW

주파수-전환

200MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

700mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

140V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 20mA, 200mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 50mA, 2V

전력-최대

800mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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ON Semiconductor

제조업체

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시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

300mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 30mA, 300mA

전류-수집기 차단 (최대)

100mA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 50mA, 1V

전력-최대

300mW

주파수-전환

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작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

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제조업체

Panasonic Electronic Components

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PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 8mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

2000 @ 4A, 3V

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