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SST39LF020-45-4C-MME

SST39LF020-45-4C-MME

참조 용

부품 번호 SST39LF020-45-4C-MME
PNEDA 부품 번호 SST39LF020-45-4C-MME
설명 IC FLASH 2M PARALLEL 34WFBGA
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SST39LF020-45-4C-MME 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SST39LF020-45-4C-MME
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
SST39LF020-45-4C-MME, SST39LF020-45-4C-MME 데이터 시트 (총 페이지: 31, 크기: 412.24 KB)
PDFSST39LF040-45-4C-NHE-T 데이터 시트 표지
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SST39LF020-45-4C-MME 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈SST39 MPF™
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지20µs
접근 시간45ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스34-WFBGA
공급자 장치 패키지34-WFBGA (6x4)

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메모리 포맷

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

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접근 시간

3.1ns

전압-공급

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작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

256Mb (32M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

MT46V32M8P-5B:GTR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

256Mb (32M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.5V ~ 2.7V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

66-TSOP

580536-002-00

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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제조업체

Maxim Integrated

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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