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SST39WF800A-90-4I-M2QE-T

SST39WF800A-90-4I-M2QE-T

참조 용

부품 번호 SST39WF800A-90-4I-M2QE-T
PNEDA 부품 번호 SST39WF800A-90-4I-M2QE-T
설명 IC FLASH 8M PARALLEL 48WFBGA
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
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SST39WF800A-90-4I-M2QE-T 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SST39WF800A-90-4I-M2QE-T
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
SST39WF800A-90-4I-M2QE-T, SST39WF800A-90-4I-M2QE-T 데이터 시트 (총 페이지: 26, 크기: 622.07 KB)
PDFSST39WF800A-90-4C-B3KE-T 데이터 시트 표지
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SST39WF800A-90-4I-M2QE-T 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈SST39 MPF™
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지40µs
접근 시간90ns
전압-공급1.65V ~ 1.95V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스48-WFBGA
공급자 장치 패키지48-WFBGA (6x4)

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Micron Technology Inc.

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메모리 유형

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메모리 포맷

FLASH

기술

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메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

32-TSOP

MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH, RAM

기술

FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2

메모리 크기

4Gb (128M x 32)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

533MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.8V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

162-VFBGA

공급자 장치 패키지

162-VFBGA (10.5x8)

MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

512Gb (64G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

333MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

132-VBGA (12x18)

S98WS01GP0HFW0060C

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.067GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-VFBGA

공급자 장치 패키지

96-VFBGA (7.5x13)

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