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STD20NF06T4

STD20NF06T4

참조 용

부품 번호 STD20NF06T4
PNEDA 부품 번호 STD20NF06T4
설명 MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
제조업체 STMicroelectronics
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STD20NF06T4 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STD20NF06T4
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STD20NF06T4, STD20NF06T4 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 338.89 KB)
PDFSTD20NF06T4 데이터 시트 표지
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STD20NF06T4 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈STripFET™ II
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs40mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs31nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds690pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)60W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지DPAK
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Vishay Siliconix

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TrenchFET® Gen IV

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23.2A (Ta), 95A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

7.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

108nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5400pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

57A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3130pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

200W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

BUK762R0-40C,118

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

175nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11323pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

333W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB70P04P409ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

72A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.1mOhm @ 70A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 120µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4810pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

75W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

155nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5200pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

230W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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