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STD4N90K5

STD4N90K5

참조 용

부품 번호 STD4N90K5
PNEDA 부품 번호 STD4N90K5
설명 N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP.,
제조업체 STMicroelectronics
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STD4N90K5 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STD4N90K5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STD4N90K5, STD4N90K5 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 807.96 KB)
PDFSTD4N90K5 데이터 시트 표지
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STD4N90K5 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈MDmesh™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.1Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs5.3nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds173pF @ 100V
FET 기능-
전력 손실 (최대)60W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지DPAK
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1810pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.7W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

RJK4006DPP-M0#T2

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

400V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

800mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

620pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

29W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220FL

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

APT30M19JVFR

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS V®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

300V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

130A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

975nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

21600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

700W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

ISOTOP®

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

IPI100N04S4H2AKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.7mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 70µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

90nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7180pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

115W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO262-3

패키지 / 케이스

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SI8469DB-T2-E1

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

64mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

800mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 4V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

780mW (Ta), 1.8W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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