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STD70N10F4

STD70N10F4

참조 용

부품 번호 STD70N10F4
PNEDA 부품 번호 STD70N10F4
설명 MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
제조업체 STMicroelectronics
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STD70N10F4 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STD70N10F4
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STD70N10F4, STD70N10F4 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 968.88 KB)
PDFSTB70N10F4 데이터 시트 표지
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STD70N10F4 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈DeepGATE™, STripFET™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs19.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs85nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5800pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)125W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지DPAK
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

140pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta), 36W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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FCH47N60

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

SuperFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

47A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 23.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

270nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

417W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

NDP4060L

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

50W (Tc)

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

PMN55ENEH

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.7V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

646pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

560mW (Ta), 6.25mW (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1285pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

110W (Tc)

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