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STD7LN80K5

STD7LN80K5

참조 용

부품 번호 STD7LN80K5
PNEDA 부품 번호 STD7LN80K5
설명 MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
제조업체 STMicroelectronics
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STD7LN80K5 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STD7LN80K5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STD7LN80K5, STD7LN80K5 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 818.62 KB)
PDFSTD7LN80K5 데이터 시트 표지
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STD7LN80K5 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈MDmesh™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds270pF @ 100V
FET 기능-
전력 손실 (최대)85W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지DPAK
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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N-Channel

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드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.2A (Ta), 14A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

170mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1240pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta), 83W (Tc)

작동 온도

-50°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

105A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12.5mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

360nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9100pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

400W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

ISOPLUS247™

패키지 / 케이스

ISOPLUS247™

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

76A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 13.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1580pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

70W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FDU6676AS

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

64nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2470pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

70W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1172pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

980mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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